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ICP高密度等离子体刻蚀系统刻蚀范围：硅基：Si、SiNx、SiO26114133、Ge、GeSi、深硅刻蚀等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、蓝宝石、SiC、金属(Al、Nb、W)等高密度等离子体支持8英寸或以下尺寸整片以及碎片刻蚀Load-Lock双腔，真空机械手传输气路数量可根据用户需求配置背氦精确控温，可实现低温/高温刻蚀软硬件互锁机制基于Windows操作软件，具备系统监测、工艺编辑、参数显示等功能，具备储存工艺日志和操作记录的能力可基于用户需求定制
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